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136-0968-0639LNC-T800雙系統(tǒng)車銑複合式控制器變頻技術(shù)是應(yīng)交流電機(jī)無級(jí)調(diào)速的需要而誕生的。20世紀(jì)50年代末,美國(guó)通用電氣公司推出了電力半導(dǎo)體組件晶閘管(可控硅SCR),給變頻技術(shù)提供了劃時(shí)代意義的基礎(chǔ)硬件。進(jìn)入70年代,由于直流電機(jī)的調(diào)速局限性,交流電機(jī)越來越受到人們的青睞。隨著市場(chǎng)需求的增長(zhǎng),技術(shù)也日益發(fā)展和完善。1971年,美國(guó)、德國(guó)提出了矢量控制技術(shù),使得變頻器的交流調(diào)速性能可以和直流調(diào)速相媲美。1973年,美國(guó)提出了電力電子技術(shù)這一新的技術(shù)學(xué)科,其最大應(yīng)用領(lǐng)域就是調(diào)速傳動(dòng)。1979年,日本采用矢量控制的變頻調(diào)速系統(tǒng)開始實(shí)用化,技術(shù)又上了一個(gè)新臺(tái)階。到了20世紀(jì)80年代,由于電力半導(dǎo)體開關(guān)器件和微電子技術(shù)的進(jìn)步,變頻器性能及可靠性提高,生產(chǎn)成本下降,其應(yīng)用開始普及。
LNC-T800雙系統(tǒng)車銑複合式控制器幾十年間,電力電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管),經(jīng)過BJT(雙極型功率晶體管)、MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)、SIT(靜電感應(yīng)晶體管)、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管),發(fā)展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管),器件的更新促使變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛,市場(chǎng)規(guī)模隨之迅速擴(kuò)大。
步入20世紀(jì)80年代,全球變頻器技術(shù)變革速度加快,走向成熟的變頻產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。隨著中國(guó)變成世界工廠,制造業(yè)的快速發(fā)展為變頻器產(chǎn)品提供了越來越大的市場(chǎng)空間,然而時(shí)至今日,國(guó)內(nèi)變頻器市場(chǎng)還可以說是外國(guó)人的天下,日系和歐美瓜分了80%的市場(chǎng)份額,但近年來臺(tái)灣變頻品牌也有一些強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn),國(guó)產(chǎn)品牌總體仍處于弱勢(shì)。
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